BAS516,H3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation BAS516,H3F

BAS516,H3F

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Número de parte	BAS516,H3F
LIXINC Part #	BAS516,H3F
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BAS516,H3F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 02 - Jun 06 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BAS516,H3F Especificaciones

Número de parte:	BAS516,H3F
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	100 V
corriente - media rectificada (io):	250mA
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.25 V @ 150 mA
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	3 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	200 nA @ 80 V
capacitancia @ vr, f:	0.35pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-79, SOD-523
paquete de dispositivos del proveedor:	ESC
temperatura de funcionamiento - empalme:	150°C (Max)

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.03366	$0.03366
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