RN2105ACT(TPL3) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2105ACT(TPL3)

RN2105ACT(TPL3)

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Número de parte	RN2105ACT(TPL3)
LIXINC Part #	RN2105ACT(TPL3)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Descripción	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RN2105ACT(TPL3) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 02 - Jun 06 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RN2105ACT(TPL3) Especificaciones

Número de parte:	RN2105ACT(TPL3)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	PNP - Pre-Biased
corriente - colector (ic) (max):	80 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
resistencia - base (r1):	2.2 kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	47 kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	150mV @ 250µA, 5mA
corriente - corte del colector (máx.):	500nA
frecuencia - transición:	-
potencia - máx.:	100 mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-101, SOT-883
paquete de dispositivos del proveedor:	CST3