DTC123EUAT106 | ROHM Semiconductor DTC123EUAT106 | DTC123EUAT106 Inventory, Best Pricing

DTC123EUAT106

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Número de parte	DTC123EUAT106
LIXINC Part #	DTC123EUAT106
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	DTC123EUAT106 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 16 - Jun 20 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

DTC123EUAT106 Especificaciones

Número de parte:	DTC123EUAT106
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de transistor:	NPN - Pre-Biased
corriente - colector (ic) (max):	100 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
resistencia - base (r1):	2.2 kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	2.2 kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 20mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
corriente - corte del colector (máx.):	500nA
frecuencia - transición:	250 MHz
potencia - máx.:	200 mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-70, SOT-323
paquete de dispositivos del proveedor:	UMT3

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