MJD112T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJD112T4G

MJD112T4G

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Número de parte	MJD112T4G
LIXINC Part #	MJD112T4G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MJD112T4G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 02 - Jun 06 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MJD112T4G Especificaciones

Número de parte:	MJD112T4G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN - Darlington
corriente - colector (ic) (max):	2 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	100 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	3V @ 40mA, 4A
corriente - corte del colector (máx.):	20µA
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 2A, 3V
potencia - máx.:	20 W
frecuencia - transición:	25MHz
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK

2SB1706TL	TRANS PNP 30V 2A TSMD3	2173 Más sobre el pedido
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