BC857C/DG/B3,215 | Nexperia BC857C/DG/B3,215 | BC857C/DG/B3,215 Inventory, Best Pricing

BC857C/DG/B3,215

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Número de parte	BC857C/DG/B3,215
LIXINC Part #	BC857C/DG/B3,215
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BC857C/DG/B3,215 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 16 - Jun 20 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BC857C/DG/B3,215 Especificaciones

Número de parte:	BC857C/DG/B3,215
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Nexperia
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	PNP
corriente - colector (ic) (max):	100 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	45 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	650mV @ 5mA, 100mA
corriente - corte del colector (máx.):	15nA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	125 @ 2mA, 5V
potencia - máx.:	250 mW
frecuencia - transición:	100MHz
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-236AB