SIZ340BDT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZ340BDT-T1-GE3 | SIZ340BDT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZ340BDT-T1-GE3

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Número de parte	SIZ340BDT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZ340BDT-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SIZ340BDT-T1-GE3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 13 - Jun 17 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SIZ340BDT-T1-GE3 Especificaciones

Número de parte:	SIZ340BDT-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
rds en (máx.) @ id, vgs:	8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
potencia - máx.:	3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-PowerWDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	8-Power33 (3x3)