NVMFD5C650NLT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

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Número de parte	NVMFD5C650NLT1G
LIXINC Part #	NVMFD5C650NLT1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NVMFD5C650NLT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	May 21 - May 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NVMFD5C650NLT1G Especificaciones

Número de parte:	NVMFD5C650NLT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	21A (Ta), 111A (Tc)
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.2V @ 98µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	16nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2546pF @ 25V
potencia - máx.:	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-PowerTDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)