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BSO615NGHUMA1

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Número de parte	BSO615NGHUMA1
LIXINC Part #	BSO615NGHUMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSO615NGHUMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	May 20 - May 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSO615NGHUMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSO615NGHUMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	SIPMOS®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.6A
rds en (máx.) @ id, vgs:	150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 20µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	20nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	380pF @ 25V
potencia - máx.:	2W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-DSO-8