PHKD6N02LT,518 | Nexperia PHKD6N02LT,518 | PHKD6N02LT,518 Inventory, Best Pricing

PHKD6N02LT,518

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Número de parte	PHKD6N02LT,518
LIXINC Part #	PHKD6N02LT,518
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PHKD6N02LT,518 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	May 17 - May 21 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PHKD6N02LT,518 Especificaciones

Número de parte:	PHKD6N02LT,518
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Nexperia
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	10.9A
rds en (máx.) @ id, vgs:	20mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	15.3nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	950pF @ 10V
potencia - máx.:	4.17W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SO