IRF5801TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF5801TRPBF | IRF5801TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF5801TRPBF

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Número de parte	IRF5801TRPBF
LIXINC Part #	IRF5801TRPBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF5801TRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 02 - Jun 06 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF5801TRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRF5801TRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	600mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.2Ohm @ 360mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	3.9 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	88 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	Micro6™(TSOP-6)
paquete / caja:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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