GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247 | GA50JT12-247 Inventory, Best Pricing

GA50JT12-247

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Número de parte	GA50JT12-247
LIXINC Part #	GA50JT12-247
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	GA50JT12-247 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 13 - Jun 17 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

GA50JT12-247 Especificaciones

Número de parte:	GA50JT12-247
Marca:	GeneSiC Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	-
tecnología:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	25mOhm @ 50A
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	7209 pF @ 800 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	583W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247AB
paquete / caja:	TO-247-3