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NCV8440ASTT1G

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Número de parte	NCV8440ASTT1G
LIXINC Part #	NCV8440ASTT1G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NCV8440ASTT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 03 - Jun 07 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NCV8440ASTT1G Especificaciones

Número de parte:	NCV8440ASTT1G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	59 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.6A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	3.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	110mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1.9V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	4.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	155 pF @ 35 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.69W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-223
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA