FDMC6675BZ | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMC6675BZ

FDMC6675BZ

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Número de parte	FDMC6675BZ
LIXINC Part #	FDMC6675BZ
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDMC6675BZ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 02 - Jun 06 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDMC6675BZ Especificaciones

Número de parte:	FDMC6675BZ
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9.5A (Ta), 20A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	14.4mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2865 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.3W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-MLP (3.3x3.3)
paquete / caja:	8-PowerWDFN

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