BSC032NE2LSATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC032NE2LSATMA1 | BSC032NE2LSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC032NE2LSATMA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BSC032NE2LSATMA1
LIXINC Part #	BSC032NE2LSATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSC032NE2LSATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	May 30 - Jun 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSC032NE2LSATMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSC032NE2LSATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	22A (Ta), 84A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1200 pF @ 12 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TDSON-8-6
paquete / caja:	8-PowerTDFN