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3LN01C-TB-E

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Número de parte	3LN01C-TB-E
LIXINC Part #	3LN01C-TB-E
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	3LN01C-TB-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	May 12 - May 16 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

3LN01C-TB-E Especificaciones

Número de parte:	3LN01C-TB-E
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	150mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.5V, 4V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.7Ohm @ 80mA, 4V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	1.58 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	7 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	250mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	3-CP
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3