BSH103,215 | Nexperia BSH103,215 | BSH103,215 Inventory, Best Pricing

BSH103,215

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Número de parte	BSH103,215
LIXINC Part #	BSH103,215
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSH103,215 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 02 - Jun 06 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSH103,215 Especificaciones

Número de parte:	BSH103,215
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Nexperia
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	850mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	400mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	400mV @ 1mA (Min)
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	2.1 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	83 pF @ 24 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	540mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-236AB
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3