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NTD4815N-35G

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Número de parte	NTD4815N-35G
LIXINC Part #	NTD4815N-35G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTD4815N-35G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 14 - Jun 18 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTD4815N-35G Especificaciones

Número de parte:	NTD4815N-35G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	6.9A (Ta), 35A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 11.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	15mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	14.1 nC @ 11.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	770 pF @ 12 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I-PAK
paquete / caja:	TO-251-3 Stub Leads, IPak