PH5525L,115 | NXP Semiconductors PH5525L,115 | PH5525L,115 Inventory, Best Pricing

PH5525L,115

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Número de parte	PH5525L,115
LIXINC Part #	PH5525L,115
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK56
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PH5525L,115 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	May 19 - May 23 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PH5525L,115 Especificaciones

Número de parte:	PH5525L,115
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	81.7A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.15V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	16.6 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2150 pF @ 12 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	LFPAK56, Power-SO8
paquete / caja:	SC-100, SOT-669