PHK12NQ10T,518 | NXP Semiconductors PHK12NQ10T,518 | PHK12NQ10T,518 Inventory, Best Pricing

PHK12NQ10T,518

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Número de parte	PHK12NQ10T,518
LIXINC Part #	PHK12NQ10T,518
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 11.6A 8SO
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PHK12NQ10T,518 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 02 - Jun 06 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PHK12NQ10T,518 Especificaciones

Número de parte:	PHK12NQ10T,518
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	11.6A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1965 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	8.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SO
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)