IRLL014NTR | IR (Infineon Technologies) IRLL014NTR | IRLL014NTR Inventory, Best Pricing

IRLL014NTR

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRLL014NTR
LIXINC Part #	IRLL014NTR
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRLL014NTR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 02 - Jun 06 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRLL014NTR Especificaciones

Número de parte:	IRLL014NTR
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	55 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	140mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	14 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	230 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-223
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA