FDB7030L_L86Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDB7030L_L86Z

FDB7030L_L86Z

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Número de parte	FDB7030L_L86Z
LIXINC Part #	FDB7030L_L86Z
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDB7030L_L86Z Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 14 - Jun 18 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDB7030L_L86Z Especificaciones

Número de parte:	FDB7030L_L86Z
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	80A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	33 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2440 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263AB
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB