IRF630NSTRRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF630NSTRRPBF | IRF630NSTRRPBF Inventory, Best Pricing

IRF630NSTRRPBF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRF630NSTRRPBF
LIXINC Part #	IRF630NSTRRPBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF630NSTRRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 02 - Jun 06 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF630NSTRRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRF630NSTRRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Discontinued at Digi-Key
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9.3A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	300mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	575 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	82W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB