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RQA0002DNSTB-E

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Número de parte	RQA0002DNSTB-E
LIXINC Part #	RQA0002DNSTB-E
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RQA0002DNSTB-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	May 18 - May 22 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RQA0002DNSTB-E Especificaciones

Número de parte:	RQA0002DNSTB-E
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	16 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.8A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (máx) @ id:	750mV @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	102 pF @ 0 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	2-HWSON (5x4)
paquete / caja:	3-DFN Exposed Pad

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