FZ1200R17HP4B2BOSA2 | IR (Infineon Technologies) FZ1200R17HP4B2BOSA2 | FZ1200R17HP4B2BOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ1200R17HP4B2BOSA2

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Número de parte	FZ1200R17HP4B2BOSA2
LIXINC Part #	FZ1200R17HP4B2BOSA2
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - módulos
Descripción	IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FZ1200R17HP4B2BOSA2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jun 04 - Jun 08 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FZ1200R17HP4B2BOSA2 Especificaciones

Número de parte:	FZ1200R17HP4B2BOSA2
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - módulos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configuración:	Half Bridge
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1700 V
corriente - colector (ic) (max):	1200 A
potencia - máx.:	7800 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.25V @ 15V, 1200A
corriente - corte del colector (máx.):	5 mA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	97 nF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	No
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module