CY7C1315CV18-250BZXC

CY7C1315CV18-250BZXC
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Número de parte CY7C1315CV18-250BZXC
LIXINC Part # CY7C1315CV18-250BZXC
Fabricante Rochester Electronics
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD CY7C1315CV18-250BZXC Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Jun 18 - Jun 22 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C1315CV18-250BZXC Especificaciones

Número de parte:CY7C1315CV18-250BZXC
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Rochester Electronics
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Obsolete
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Synchronous, QDR II
tamaño de la memoria:18Mb (512K x 36)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:250 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:-
suministro de voltaje:1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:165-LBGA
paquete de dispositivos del proveedor:165-FBGA (13x15)

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